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      氧化亚硅真空升华炉是用于制备高纯氧化亚硅材料，升华炉主要提高氧化亚硅的纯度，改变电池负极容量值。

      氧化亚硅真空升华炉应用于半导体硅片的制备，也可应用于氧化亚硅、碳化硅等带半导体材料的研究与开发，还可用于微电子器件、光电子器件、光子晶体、生物医学工程、纳米技术等领域。

      该设备的特点是具有高真空度和加热控制系统的精确性，能够实现晶体的高效分离和高质量产品的生产。在氧化亚硅真空升华炉中，可以通过控制加热温度和时间、升华室的真空度等因素，实现不同类型和规格的晶体生产。

      该设备有收集系统、升华系统、加热系统、温控系统、真空系统、冷却系统六大组成。

      升华系统：由加热区和收集区组成，加热区由感应线圈、重质刚玉、石墨硬毡、等静压石墨组成；收集区由310S不锈钢及保温层组成
      加热系统：采用感应加热，电源采用IGBT节能型电源，噪音小，比传统晶闸管电源节能15%左右

      温控系统：采用 PLC 触屏集中控制方式，自动化控制，带网口，可实现远程控制
      真空系统：由多级真空泵、真空阀，压力控制器及管路组成

      冷却系统：配置闭式冷却系统，内循环用去离子水，不会造成设备管路结垢，内循环水损失小，外循环用自来水，自动补水，风机自启动散热；散热效果好，集成环保，占地面积小等特点。